The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /
Gespeichert in:
| OCLC: | 3928247 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Körperschaft: | |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Göteborg,
1973.
|
| Schriftenreihe: | Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
|
| Schlagworte: | |
| Format: | Abschlussarbeit Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |