The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /
Сохранить в:
| OCLC: | 3928247 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Соавтор: | |
| Язык: | English |
| Опубликовано: |
Göteborg,
1973.
|
| Серии: | Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
|
| Предметы: | |
| Формат: | Thesis Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| Примечание: | Photocopy. 1974. -- 30 cm. |
|---|---|
| Объем: | [78] leaves : ill. |
| Библиография: | Includes bibliographical references. |
| Поместить публикацию: | Sweden. |