The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
OCLC:3928247
Egile nagusia: Andersson, Åke
Erakunde egilea: Chalmers tekniska högskola
Hizkuntza:English
Argitaratua: Göteborg, 1973.
Saila:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Gaiak:
Formatua:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Deskribapena
Alearen deskribapena:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Deskribapen fisikoa:[78] leaves : ill.
Bibliografia:Includes bibliographical references.
Argitaratze lekua:Sweden.