The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /
Gespeichert in:
| OCLC: | 3928247 |
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| 1. Verfasser: | |
| Körperschaft: | |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Göteborg,
1973.
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| Schriftenreihe: | Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
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| Schlagworte: | |
| Format: | Abschlussarbeit Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| Beschreibung: | Photocopy. 1974. -- 30 cm. |
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| Beschreibung: | [78] leaves : ill. |
| Bibliographie: | Includes bibliographical references. |
| Erscheinungsort: | Sweden. |