The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
OCLC:3928247
Hlavní autor: Andersson, Åke
Korporativní autor: Chalmers tekniska högskola
Jazyk:English
Vydáno: Göteborg, 1973.
Edice:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Témata:
Crystals > Effect of radiation on.
Silicon crystals.
Ion implantation.
Médium:

Diplomová práce Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Popis
Popis jednotky:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Fyzický popis:[78] leaves : ill.
Bibliografie:Includes bibliographical references.
Místo vydání:Sweden.

Podobné jednotky