The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /
Guardat en:
| OCLC: | 3928247 |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor corporatiu: | |
| Idioma: | English |
| Publicat: |
Göteborg,
1973.
|
| Col·lecció: | Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
|
| Matèries: | |
| Format: | Thesis Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| Descripció de l’ítem: | Photocopy. 1974. -- 30 cm. |
|---|---|
| Descripció física: | [78] leaves : ill. |
| Bibliografia: | Includes bibliographical references. |
| Lloc de publicació: | Sweden. |