Herstellung und Charakterisierung von InAlAs/InGaAs/InP Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit niedrigen Gate-Leckströmen /
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| OCLC: | 69007436 |
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| Autor principal: | |
| Autor Corporativo: | |
| Idioma: | German |
| Publicado em: |
[S.l. :
s.n.],
1995.
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| Formato: | Thesis Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |