Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /
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OCLC: | 46115705 |
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Главный автор: | |
Соавтор: | |
Язык: | German |
Опубликовано: |
Germany :
Universität Hamburg,
1990.
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Global Resources Program: | Southeast Asia Materials Project (SEAM) |
Формат: | Thesis Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
Объем: | 110 S : ill., graph. Darst ; 21 cm. |
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