Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /
Uloženo v:
| OCLC: | 46115705 |
|---|---|
| Hlavní autor: | |
| Korporativní autor: | |
| Jazyk: | German |
| Vydáno: |
Germany :
Universität Hamburg,
1990.
|
| Global Resources Program: | Southeast Asia Materials Project (SEAM) |
| Médium: | Diplomová práce Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| Fyzický popis: | 110 S : ill., graph. Darst ; 21 cm. |
|---|---|
| Místo vydání: | Germany. |