Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /
Guardat en:
| OCLC: | 46115705 |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor corporatiu: | |
| Idioma: | German |
| Publicat: |
Germany :
Universität Hamburg,
1990.
|
| Global Resources Program: | Southeast Asia Materials Project (SEAM) |
| Format: | Thesis Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| Descripció física: | 110 S : ill., graph. Darst ; 21 cm. |
|---|---|
| Lloc de publicació: | Germany. |