Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
OCLC:60216468
מחבר ראשי: Hemmingsson, Carl
Corporate Authors: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
שפה:English
יצא לאור: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
פורמט:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

תיאור Local Call Number סטטוס
P-00392508 זמין