Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes /

保存先:
書誌詳細
OCLC:49995672
第一著者: Chen, Qiang
団体著者: Universitetet i Linköping
言語:English
出版事項: 1993.
主題:
フォーマット:

学位論文 Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

LEADER 01181nam a22003377a 4500
001 in00005630849
003 OCoLC
005 20020613151340.0
008 020613s1993 sw 000 0 eng d
035 |a (OCoLC)49995672 
040 |a CRL  |c CRL 
049 |a CRLL 
099 |a P-00020992 
100 1 |a Chen, Qiang. 
245 1 0 |a Electrical properties of field-effect transistors and resonant tunneling diodes /  |c Qiang Chen. 
260 |c 1993. 
300 |a 117 p. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent. 
337 |a unmediated  |b n  |2 rdamedia. 
338 |a volume  |b nc  |2 rdacarrier. 
502 |b doctoral  |c Linköping University  |d 1993. 
653 |a field-effect transistors. 
653 |a diodes. 
653 |a tunneling theory. 
653 |a quantum physics. 
710 2 |a Universitetet i Linköping. 
752 |a Sweden. 
907 |a .b15703228  |b 03-28-22  |c 06-13-02 
998 |a diss  |b 06-13-02  |c m  |d -  |e -  |f eng  |g sw   |h 0  |i 1 
999 f f |i f6d86f52-9d15-5b41-b852-e92ea9dc7daf  |s 1c20ce2c-d804-53e9-9bf2-b731727be838  |t 0