Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p⁺-Gates /

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
OCLC:52723237
Glavni autor: Schmitt, Reinhold Georg
Autor kompanije: Universität Duisburg
Jezik:German
Izdano: 1985.
Format:

Disertacija Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Opis
Opis:135 p.
Mjesto izdanja:Germany.