Cita APA

Waasen, S. v. (1999). Wanderwellenverstärker fur hochbitratige monolithisch integriete Photoempfänger auf basis von InAIAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Waasen, Stefan van. Wanderwellenverstärker Fur Hochbitratige Monolithisch Integriete Photoempfänger Auf Basis Von InAIAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren. 1999.

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Waasen, Stefan van. Wanderwellenverstärker Fur Hochbitratige Monolithisch Integriete Photoempfänger Auf Basis Von InAIAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren. 1999.

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