Waasen, S. v. (1999). Wanderwellenverstärker fur hochbitratige monolithisch integriete Photoempfänger auf basis von InAIAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren.
Chicago Style (17th ed.) CitationWaasen, Stefan van. Wanderwellenverstärker Fur Hochbitratige Monolithisch Integriete Photoempfänger Auf Basis Von InAIAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren. 1999.
Cita MLAWaasen, Stefan van. Wanderwellenverstärker Fur Hochbitratige Monolithisch Integriete Photoempfänger Auf Basis Von InAIAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren. 1999.
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