Lifetime control in silicon by fast ion irradiation /

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
OCLC:23953419
1. Verfasser: Hallén, Anders
Körperschaft: Uppsala universitet
Sprache:English
Veröffentlicht: Uppsala : Stockholm, Sweden : Uppsala University ; Distributor, Almqvist & Wiksell International, 1990.
Schriftenreihe:Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of Science, 247.
Schlagworte:
Ion bombardment.
Ion implantation.
Silicon > Defects.
Power semiconductors.
Format:

Abschlussarbeit Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

LEADER 01574cam a2200385Ia 4500
001 in00006133038
003 OCoLC
005 00010101120000.0
008 910619s1990 sw a bm 000 0 eng d
020 |a 9155425240 
035 |a (OCoLC)23953419 
040 |a NDD  |c NDD  |d OCLCQ  |d CRL 
049 |a CRLL 
092 |a 013.378485  |b A188, U58x, no. 247 
099 |a P-00375382 
100 1 |a Hallén, Anders. 
245 1 0 |a Lifetime control in silicon by fast ion irradiation /  |c by Anders Hallén. 
260 |a Uppsala :  |b Uppsala University ;  |a Stockholm, Sweden :  |b Distributor, Almqvist & Wiksell International,  |c 1990. 
300 |a 36 p. :  |b ill. ;  |c 25 cm. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent. 
337 |a unmediated  |b n  |2 rdamedia. 
338 |a volume  |b nc  |2 rdacarrier. 
490 0 |a Acta Universitatis Upsaliensis. Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of Science,  |x 0282-7468 ;  |v 247. 
502 |b doctoral  |c Uppsala University  |d 1990. 
504 |a Includes bibliographical references (p. 34-36) 
650 0 |a Ion bombardment. 
650 0 |a Ion implantation. 
650 0 |a Silicon  |x Defects. 
650 0 |a Power semiconductors. 
710 2 |a Uppsala universitet. 
752 |a Sweden. 
907 |a .b2089322x  |b 03-04-22  |c 05-09-06 
998 |a diss  |b 05-09-06  |c m  |d -  |e -  |f eng  |g sw   |h 0  |i 1 
999 f f |i bcbac180-927a-5d83-96dc-a1d460b4f693  |s 275e83c4-7fd1-5bbc-adea-e190c0c5f4dc  |t 0 

Ähnliche Einträge