Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern /

Сохранить в:
Библиографические подробности
OCLC:75488764
Главный автор: Moser, Michael
Соавтор: Universität Stuttgart
Язык:German
Опубликовано: [S.l. : s.n.], 1994.
Предметы:
Формат:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

LEADER 01235cam a2200313Mi 45 0
001 in00006384269
003 OCoLC
005 00010101120000.0
008 940718s1994 gw m u000 udger d
016 7 |a 941674592  |2 GyFmDB 
035 |a (OCoLC)75488764 
040 |a GWDNB  |e rakwb  |b ger  |c GWDNB  |d OCLCQ  |d CRL 
049 |a CRLL 
099 |a P-00545775 
100 1 |a Moser, Michael. 
245 1 0 |a Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern /  |c Michael Moser. 
260 |a [S.l. :  |b s.n.],  |c 1994. 
300 |a 134 S. :  |b graph. Darst. ;  |c 21 cm. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent. 
337 |a unmediated  |b n  |2 rdamedia. 
338 |a volume  |b nc  |2 rdacarrier. 
502 |b octoral  |c Universität Stuttgart  |d 1994. 
650 7 |a Drei-Fünf-Halbleiter  |x Halbleiterlaser  |x Gasphasenepitaxie.  |2 swd. 
710 2 |a Universität Stuttgart. 
752 |a Germany. 
907 |a .b2344308x  |b 04-18-22  |c 12-18-07 
998 |a diss  |b 12-18-07  |c m  |d -  |e -  |f ger  |g gw   |h 0  |i 1 
999 f f |i 99e73b50-872c-51d5-94c3-9a47e7dc2dd7  |s 0fe128b5-efb6-5e81-b2d2-2ab2dfb53295  |t 0