Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
OCLC:75488764
المؤلف الرئيسي: Moser, Michael
مؤلف مشترك: Universität Stuttgart
اللغة:German
منشور في: [S.l. : s.n.], 1994.
الموضوعات:
Drei-Fünf-Halbleiter > Halbleiterlaser > Gasphasenepitaxie.
التنسيق:

أطروحة Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

الوصف Local Call Number الحالة
P-00545775 متاح

مواد مشابهة