Indium doping during growth of single-crystal silicon films by molecular beam epitaxy /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
OCLC:60056439
Tác giả chính: Knall, Johan
Tác giả của công ty: Universitetet i Linköping
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Linkoping University, 1988.
Loạt:Linkoping studies in science and technology dissertations ; v 187.
Định dạng:

Luận văn Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Miêu tả Local Call Number Trạng thái
P-00458236 Sẵn có