Indium doping during growth of single-crystal silicon films by molecular beam epitaxy /

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
OCLC:60056439
Autor principal: Knall, Johan
Autor corporatiu: Universitetet i Linköping
Idioma:English
Publicat: Linkoping University, 1988.
Col·lecció:Linkoping studies in science and technology dissertations ; v 187.
Format:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Descripció Local Call Number Estat
P-00458236 Disponible