The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /
Đã lưu trong:
| OCLC: | 3928247 |
|---|---|
| Tác giả chính: | |
| Tác giả của công ty: | |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Göteborg,
1973.
|
| Loạt: | Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
|
| Những chủ đề: | |
| Định dạng: | Luận văn Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |