The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Sparad:
Bibliografiska uppgifter
OCLC:3928247
Huvudupphovsman: Andersson, Åke
Institutionell upphovsman: Chalmers tekniska högskola
Språk:English
Publicerad: Göteborg, 1973.
Serie:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Ämnen:
Materialtyp:

Lärdomsprov Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.