The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
OCLC:3928247
1. autor: Andersson, Åke
Korporacja: Chalmers tekniska högskola
Język:English
Wydane: Göteborg, 1973.
Seria:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Hasła przedmiotowe:
Format:

Praca dyplomowa Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Opis Local Call Number Status
P-60001259 Dostępne