The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /
Zapisane w:
OCLC: | 3928247 |
---|---|
1. autor: | |
Korporacja: | |
Język: | English |
Wydane: |
Göteborg,
1973.
|
Seria: | Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
|
Hasła przedmiotowe: | |
Format: | Praca dyplomowa Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |