The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

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OCLC:3928247
Autore principale: Andersson, Åke
Ente Autore: Chalmers tekniska högskola
Lingua:English
Pubblicazione: Göteborg, 1973.
Serie:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Soggetti:
Natura:

Tesi Monograph

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