The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
OCLC:3928247
מחבר ראשי: Andersson, Åke
מחבר תאגידי: Chalmers tekniska högskola
שפה:English
יצא לאור: Göteborg, 1973.
סדרה:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
נושאים:
פורמט:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

תיאור Local Call Number סטטוס
P-60001259 זמין