The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
OCLC:3928247
Autor principal: Andersson, Åke
Autor Corporativo: Chalmers tekniska högskola
Lenguaje:English
Publicado: Göteborg, 1973.
Colección:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Materias:
Formato:

Tesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Descripción Local Call Number Estado
P-60001259 Disponible