The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
OCLC:3928247
Hlavní autor: Andersson, Åke
Korporativní autor: Chalmers tekniska högskola
Jazyk:English
Vydáno: Göteborg, 1973.
Edice:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Témata:
Médium:

Diplomová práce Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Popis Local Call Number Stav
P-60001259 Dostupné