The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
OCLC:3928247
Hoofdauteur: Andersson, Åke
Coauteur: Chalmers tekniska högskola
Taal:English
Gepubliceerd in: Göteborg, 1973.
Reeks:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Onderwerpen:
Formaat:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Omschrijving Local Call Number Status
P-60001259 Beschikbaar