The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
OCLC:3928247
Tác giả chính: Andersson, Åke
Tác giả của công ty: Chalmers tekniska högskola
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Göteborg, 1973.
Loạt:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Những chủ đề:
Crystals > Effect of radiation on.
Silicon crystals.
Ion implantation.
Định dạng:

Luận văn Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Miêu tả
Mô tả sách:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Mô tả vật lý:[78] leaves : ill.
Thư mục:Includes bibliographical references.
Nơi xuất bản:Sweden.

Những quyển sách tương tự