The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
OCLC:3928247
Glavni avtor: Andersson, Åke
Korporativna značnica: Chalmers tekniska högskola
Jezik:English
Izdano: Göteborg, 1973.
Serija:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Teme:
Format:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Opis
Opis knjige/članka:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Fizični opis:[78] leaves : ill.
Bibliografija:Includes bibliographical references.
Place of Publication:Sweden.