The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
OCLC:3928247
1. autor: Andersson, Åke
Korporacja: Chalmers tekniska högskola
Język:English
Wydane: Göteborg, 1973.
Seria:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Hasła przedmiotowe:
Crystals > Effect of radiation on.
Silicon crystals.
Ion implantation.
Format:

Praca dyplomowa Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Opis
Deskrypcja:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Opis fizyczny:[78] leaves : ill.
Bibliografia:Includes bibliographical references.
Miejsce wydania:Sweden.

Podobne zapisy