The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
OCLC:3928247
מחבר ראשי: Andersson, Åke
מחבר תאגידי: Chalmers tekniska högskola
שפה:English
יצא לאור: Göteborg, 1973.
סדרה:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
נושאים:
Crystals > Effect of radiation on.
Silicon crystals.
Ion implantation.
פורמט:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

תיאור
תאור פריט:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
תיאור פיזי:[78] leaves : ill.
ביבליוגרפיה:Includes bibliographical references.
Place of Publication:Sweden.

פריטים דומים