The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

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Detalles Bibliográficos
OCLC:3928247
Autor Principal: Andersson, Åke
Autor Corporativo: Chalmers tekniska högskola
Idioma:English
Publicado: Göteborg, 1973.
Series:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Subjects:
Formato:

Thesis Monograph

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Descripción
descrición da copia:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Descrición Física:[78] leaves : ill.
Bibliografía:Includes bibliographical references.
Lugar de Publicación:Sweden.