The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

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Détails bibliographiques
OCLC:3928247
Auteur principal: Andersson, Åke
Collectivité auteur: Chalmers tekniska högskola
Langue:English
Publié: Göteborg, 1973.
Collection:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Sujets:
Format:

Thèse Monograph

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Description
Description:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Description matérielle:[78] leaves : ill.
Bibliographie:Includes bibliographical references.
Lieu de publication:Sweden.