The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
OCLC:3928247
Κύριος συγγραφέας: Andersson, Åke
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: Chalmers tekniska högskola
Γλώσσα:English
Έκδοση: Göteborg, 1973.
Σειρά:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Θέματα:
Μορφή:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Περιγραφή
Περιγραφή τεκμηρίου:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Φυσική περιγραφή:[78] leaves : ill.
Βιβλιογραφία:Includes bibliographical references.
Τόπος έκδοσης:Sweden.