The electrical activity of defects created in silicon single crystals during ion implantation /

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
OCLC:3928247
Hoofdauteur: Andersson, Åke
Coauteur: Chalmers tekniska högskola
Taal:English
Gepubliceerd in: Göteborg, 1973.
Reeks:Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola.
Onderwerpen:
Crystals > Effect of radiation on.
Silicon crystals.
Ion implantation.
Formaat:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Omschrijving
Beschrijving item:Photocopy. 1974. -- 30 cm.
Fysieke beschrijving:[78] leaves : ill.
Bibliografie:Includes bibliographical references.
Plaats van publicatie:Sweden.

Gelijkaardige items