Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
OCLC:46115705
Tác giả chính: Goller, Klaus-Werner
Tác giả của công ty: Universität Hamburg
Ngôn ngữ:German
Được phát hành: Germany : Universität Hamburg, 1990.
Global Resources Program:Southeast Asia Materials Project (SEAM)
Định dạng:

Luận văn Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Miêu tả Local Call Number Trạng thái
P-00353889 Sẵn có