Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
OCLC:46115705
Hlavní autor: Goller, Klaus-Werner
Korporativní autor: Universität Hamburg
Jazyk:German
Vydáno: Germany : Universität Hamburg, 1990.
Global Resources Program:Southeast Asia Materials Project (SEAM)
Médium:

Diplomová práce Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Borrow this resource

Item List

Popis Local Call Number Stav
P-00353889 Dostupné