Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /

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Detalles Bibliográficos
OCLC:46115705
Autor principal: Goller, Klaus-Werner
Autor Corporativo: Universität Hamburg
Lenguaje:German
Publicado: Germany : Universität Hamburg, 1990.
Global Resources Program:Southeast Asia Materials Project (SEAM)
Formato:

Tesis Monograph

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LEADER 01244cam a2200301Mi 4500
001 in00006097884
003 OCoLC
008 901106s1990 gw a 000 0 ger d
005 20240604161846.4
035 |a (OCoLC)46115705 
040 |a ZXW  |b ger  |c ZXW  |d OCLCQ  |d CRL 
049 |a CRLM 
099 |a P-00353889 
100 1 |a Goller, Klaus-Werner. 
245 1 0 |a Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /  |c Goller, Klaus-Werner. 
264 1 |a Germany :  |b Universität Hamburg,  |c 1990. 
300 |a 110 S :  |b ill., graph. Darst ;  |c 21 cm. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent. 
337 |a unmediated  |b n  |2 rdamedia. 
338 |a volume  |b nc  |2 rdacarrier. 
502 |b Doctoral  |c Universität Hamburg  |d 1990. 
710 2 |a Universität Hamburg. 
752 |a Germany. 
907 |a .b20534887  |b 06-04-24  |c 02-07-06 
990 |m CRL 
998 |a diss  |b 02-07-06  |c m  |d -  |e -  |f ger  |g gw   |h 0  |i 1 
999 f f |i 233e2dd6-b6a8-5b02-b51d-4f38b73ffaea  |s 7d166a65-d476-518a-8225-6e42f0999df0  |t 0