Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /
Guardado en:
OCLC: | 46115705 |
---|---|
Autor principal: | |
Autor Corporativo: | |
Lenguaje: | German |
Publicado: |
Germany :
Universität Hamburg,
1990.
|
Global Resources Program: | Southeast Asia Materials Project (SEAM) |
Formato: | Tesis Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
LEADER | 01244cam a2200301Mi 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | in00006097884 | ||
003 | OCoLC | ||
008 | 901106s1990 gw a 000 0 ger d | ||
005 | 20240604161846.4 | ||
035 | |a (OCoLC)46115705 | ||
040 | |a ZXW |b ger |c ZXW |d OCLCQ |d CRL | ||
049 | |a CRLM | ||
099 | |a P-00353889 | ||
100 | 1 | |a Goller, Klaus-Werner. | |
245 | 1 | 0 | |a Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen / |c Goller, Klaus-Werner. |
264 | 1 | |a Germany : |b Universität Hamburg, |c 1990. | |
300 | |a 110 S : |b ill., graph. Darst ; |c 21 cm. | ||
336 | |a text |b txt |2 rdacontent. | ||
337 | |a unmediated |b n |2 rdamedia. | ||
338 | |a volume |b nc |2 rdacarrier. | ||
502 | |b Doctoral |c Universität Hamburg |d 1990. | ||
710 | 2 | |a Universität Hamburg. | |
752 | |a Germany. | ||
907 | |a .b20534887 |b 06-04-24 |c 02-07-06 | ||
990 | |m CRL | ||
998 | |a diss |b 02-07-06 |c m |d - |e - |f ger |g gw |h 0 |i 1 | ||
999 | f | f | |i 233e2dd6-b6a8-5b02-b51d-4f38b73ffaea |s 7d166a65-d476-518a-8225-6e42f0999df0 |t 0 |