Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /
Đã lưu trong:
OCLC: | 46115705 |
---|---|
Tác giả chính: | |
Tác giả của công ty: | |
Ngôn ngữ: | German |
Được phát hành: |
Germany :
Universität Hamburg,
1990.
|
Global Resources Program: | Southeast Asia Materials Project (SEAM) |
Định dạng: | Luận văn Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
Mô tả vật lý: | 110 S : ill., graph. Darst ; 21 cm. |
---|---|
Nơi xuất bản: | Germany. |