Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /
Zapisane w:
| OCLC: | 46115705 |
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| 1. autor: | |
| Korporacja: | |
| Język: | German |
| Wydane: |
Germany :
Universität Hamburg,
1990.
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| Global Resources Program: | Southeast Asia Materials Project (SEAM) |
| Format: | Praca dyplomowa Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| Opis fizyczny: | 110 S : ill., graph. Darst ; 21 cm. |
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| Miejsce wydania: | Germany. |