Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
OCLC:46115705
Päätekijä: Goller, Klaus-Werner
Yhteisötekijä: Universität Hamburg
Kieli:German
Julkaistu: Germany : Universität Hamburg, 1990.
Global Resources Program:Southeast Asia Materials Project (SEAM)
Aineistotyyppi:

Opinnäyte Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Kuvaus
Ulkoasu:110 S : ill., graph. Darst ; 21 cm.
Julkaisupaikka:Germany.