Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
OCLC:46115705
المؤلف الرئيسي: Goller, Klaus-Werner
مؤلف مشترك: Universität Hamburg
اللغة:German
منشور في: Germany : Universität Hamburg, 1990.
Global Resources Program:Southeast Asia Materials Project (SEAM)
التنسيق:

أطروحة Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

الوصف
وصف مادي:110 S : ill., graph. Darst ; 21 cm.
مكان النشر:Germany.

مواد مشابهة