Siweris, H. J. (1986). Untersuchung zum Rauschverhalten von Mikrowelle-Oszillatoren mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren. Ruhr-Universität Bochum.
Chicago Style (17th ed.) CitationSiweris, Heinz Jürgen. Untersuchung Zum Rauschverhalten Von Mikrowelle-Oszillatoren Mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren. Germany: Ruhr-Universität Bochum, 1986.
MLA引文Siweris, Heinz Jürgen. Untersuchung Zum Rauschverhalten Von Mikrowelle-Oszillatoren Mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren. Ruhr-Universität Bochum, 1986.
警告:這些引文格式不一定是100%准確.