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Siweris, H. J. (1986). Untersuchung zum Rauschverhalten von Mikrowelle-Oszillatoren mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren. Ruhr-Universität Bochum.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Siweris, Heinz Jürgen. Untersuchung Zum Rauschverhalten Von Mikrowelle-Oszillatoren Mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren. Germany: Ruhr-Universität Bochum, 1986.

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Siweris, Heinz Jürgen. Untersuchung Zum Rauschverhalten Von Mikrowelle-Oszillatoren Mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren. Ruhr-Universität Bochum, 1986.