Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /
Đã lưu trong:
| OCLC: | 60216468 |
|---|---|
| Tác giả chính: | |
| Nhiều tác giả của công ty: | , |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Linköping :
Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University,
1998.
|
| Định dạng: | Luận văn Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |