Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
OCLC:60216468
Κύριος συγγραφέας: Hemmingsson, Carl
Συλλογικό Έργο: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
Γλώσσα:English
Έκδοση: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Μορφή:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.