Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
OCLC:60216468
Tác giả chính: Hemmingsson, Carl
Nhiều tác giả của công ty: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Định dạng:

Luận văn Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Miêu tả
Mô tả vật lý:133 p.
số ISBN:9172193042
Nơi xuất bản:Sweden.