Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

Сохранить в:
Библиографические подробности
OCLC:60216468
Главный автор: Hemmingsson, Carl
Корпоративные авторы: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
Язык:English
Опубликовано: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Формат:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Описание
Объем:133 p.
ISBN:9172193042
Поместить публикацию:Sweden.