Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

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Detalhes bibliográficos
OCLC:60216468
Autor principal: Hemmingsson, Carl
Autores corporativos: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
Idioma:English
Publicado em: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Formato:

Tese Monograph

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Descrição
Descrição Física:133 p.
ISBN:9172193042
Local de Publicação:Sweden.