Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

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Dettagli Bibliografici
OCLC:60216468
Autore principale: Hemmingsson, Carl
Enti autori: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
Lingua:English
Pubblicazione: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Natura:

Tesi Monograph

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Descrizione
Descrizione fisica:133 p.
ISBN:9172193042
Luogo di pubblicazione:Sweden.